MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI

ON Semiconductor

包装:散装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):900V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 3.25A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 30V,功率 - 最大值:2W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3 整包,供应商器件封装:TO-220FI（LS）

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